
取消
清空記錄
歷史記錄
清空記錄
歷史記錄




??隨著社會的發(fā)展,石墨烯的產業(yè)化應用步伐正在加快,應用的領域也很多,比如移動設備、航空航天、新能源電池領域等等......碩碩小黑管(德國德碩石墨烯地暖管)為您解秘石墨烯制備方法。
1、撕膠帶法/輕微摩擦法
??比較普通的是微機械分離法,直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來。2004年,海姆等用這種方法制備出了單層石墨烯,并可以在外界環(huán)境下穩(wěn)定存在。典型制備方法是用另外一種材料膨化或者引入缺陷的熱解石墨進行摩擦,體相石墨的表面會產生絮片狀的晶體,在這些絮片狀的晶體中含有單層的石墨烯。
??但缺點是此法利用摩擦石墨表面獲得的薄片來篩選出單層的石墨烯薄片,其尺寸不易調制,無法可靠地制造長度足供應用的石墨薄片樣本。 2016年, 我國科學家張錦英等發(fā)明了一種簡單的綠色剝離技術, 通過 “球-微球”間柔和的滾動轉移工藝實現(xiàn)了少層石墨烯(層數(shù)3.8±1.9)的規(guī)模化制備。
??2、碳化硅表面外延生長
??該法是通過加熱單晶碳化硅脫除硅,在單晶(0001)面上分解出石墨烯片層。具體過程是:將經氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱,除脫氧化物。
??用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后,將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃后恒溫1min~20min,從而形成極薄的石墨層,經過幾年的探索,克萊爾·伯格等人已經能可控地制備出單層或是多層石墨烯。
??在C-terminated表面比較容易得到高達100層的多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決定,制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。
??3、金屬表面生長
??取向附生法是利用生長基質原子結構“種”出石墨烯,首先讓碳原子在1150℃下滲入釕,然后冷卻,冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會浮到釕表面,鏡片形狀的單層的碳原子“孤島”布滿了整個基質表面,它們可長成完整的一層石墨烯。首層覆蓋80 %后,第二層開始生長。
??底層的石墨烯會與釕產生強烈的相互作用,而第二層后就幾乎與釕完全分離,只剩下弱電耦合,得到的單層石墨烯薄片表現(xiàn)令人滿意。
根據(jù)石墨烯制備方法的不同,所研發(fā)的產品也不同。石墨烯地暖管也是水暖行業(yè)新興的高科技,德國德碩石墨烯地暖管-21世紀黑科技!
